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當前，5G 通信技術、新能源汽車推廣以及光電應用推動寬禁帶半導體產業(yè)蓬勃發(fā)展，各國積極開展戰(zhàn)略部署，通過建立創(chuàng)新中心、聯(lián)合研發(fā)等方式，加大產學研政協(xié)同組織和投入，推進產品級開發(fā)和終端應用，形成了美歐日三足鼎立的產業(yè)布局，其中美國憑借科銳、道康寧等國際巨頭，居于領導地位，占有全球碳化硅產量的70—80%。而隨著中美貿易爭端加劇，美不斷加大對我寬禁帶半導體材料技術封鎖。美外資投資委員會以“國家安全”為由封殺了多起中資參與的并購案，包括我產業(yè)基金對美、德半導體材料設備企業(yè)的收購。

我寬禁帶半導體材料研發(fā)始于2004年，發(fā)展至今在國際仍處于產業(yè)跟跑階段，關鍵核心技術亟待突破。當前，寬禁帶半導體在電力電子和射頻器件領域面臨重要窗口期，國際半導體產業(yè)巨頭尚未對行業(yè)標準和技術形成完全壟斷，在政策和市場雙重推動下，我國寬禁帶半導體產業(yè)發(fā)展正當時。但工業(yè)基礎薄弱、產業(yè)化滯后、產業(yè)生態(tài)不完善始終制約我寬禁帶半導體材料實現自主可控，表現為三大瓶頸：

部分籽晶、高純碳粉、高純氣體等原材料，石墨坩堝、碳基保溫材料等生產物料主要依賴進口，存在被國外壟斷、禁運的風險。生產設備國產化率不高，如單晶爐主要由美國科銳、德國愛思強、日本三菱供貨，研磨機、拋光機、外延爐等生產裝備，微觀分析儀器等檢測設備也主要依賴進口。

國內企業(yè)在制備碳化硅晶圓的技術工程化過程中仍存在提純、控溫、切割拋光等工藝技術難題，同時分析檢測手段相對不足，微觀特性差距嚴重影響晶體材料的質量和性能，導致質量不及國外，成本較高，器件企業(yè)不敢用，國產化替代難。

國內碳化硅材料企業(yè)規(guī)模較小，如北京天科合達半導體公司2—4英寸碳化硅晶圓的產能僅7萬片/年，而領域代表性企業(yè)美國科銳的產能按6英寸折算約為80萬—100萬片/年，約占全球市場的80%。此外，國外半導體材料研發(fā)投入比國內早近 20年，市場占有率較高，導致國內器件企業(yè)的研發(fā)大都建立在國外晶圓的基礎上。而國內半導體材料企業(yè)由于初期難以得到下游器件企業(yè)的技術反饋，質量提升較慢。

應充分發(fā)揮材料、工藝和裝備一體化優(yōu)勢，盡快突破大尺寸、高性能單晶襯底產業(yè)化技術，結合產業(yè)發(fā)展的需要，開發(fā)先進的國產化工藝裝備和材料，以滿足寬禁帶半導體高速發(fā)展的需求。

制定包括技術集成、產品應用、商業(yè)模式、工程監(jiān)管、標準檢測等在內的系統(tǒng)化、集成化實施方案，重點開展面向電動汽車、新能源與能源互聯(lián)網、5G 通信以及智能照明等重點領域的試點示范。

當前，多家中央企業(yè)均積極布局寬禁帶半導體材料研發(fā)與應用。建議主管部門統(tǒng)籌整合上下游央企科研力量，給予資金支持和政策傾斜，圍繞寬禁帶半導體材料制備工藝技術和設備開展聯(lián)合攻關，加快實現我寬禁帶半導體產業(yè)自主可控。

鼓勵發(fā)展寬禁帶半導體專用材料及器件生產線，尤其針對有半導體行業(yè)經驗的大型企業(yè)集團。應用方面建議從對可靠性要求相對較低的消費級電子產業(yè)、對寬禁帶半導體器件有剛性需求的產業(yè)（如光伏逆變器、5G 通信）、受政策導向影響較大的產業(yè)（如充電樁）等逐步切入市場。

建議針對美、日等對我封鎖嚴格的國家，可通過人才和技術引進，或者在當地設研發(fā)中心的方式獲得技術資源。針對歐洲和俄羅斯，可考慮尋找中小規(guī)模材料或器件企業(yè)整體并購或團隊整體引進的方式獲得合作。